Lösungen für Reinräume im Bereich der Halbleiter- und Elektronikherstellung

I. Lösungen für die Herstellung von Halbleitern

1. Fotolithographie

   • ISO-Klasse 3-5 Reinräume:
     FFU mit ULPA-Filtern (99,9995% @ 0,12μm) halten ≤ 1.000 Partikel/m3 auf, um eine Kontamination der Maske zu verhindern.

   • Vibrationsdämpfende Laminar-Durchflusskappen:
     Erreichen einer Überlagerungsgenauigkeit von < 0,5 μm über seismische Isolationsplattformen.

2. Ätzen und Absetzen

   • Gasdichte modulare Reinräume:
     Chemikalienbeständige Wände + AMC-Filter (Airborne Molecular Contamination) zur Kontrolle von HF/O3-Spiegeln < 1 ppb.

   • Passboxen mit Stickstoffreinigung:
     Übertragung von Wafern zwischen Plasma-Etch- und ALD-Kammern ohne Oxidation.

3. Erweiterte Verpackungen und Prüfungen

   • ESD-sichere Trockenräume (ISO-Klasse 4):
     Beibehalten ≤10% RH mit Trocknungsradsystemen für das Stapeln von 3D-ICs.

   • RF-schützte Reinräume:
     Faraday-Käfigmodule + FFU für 5G/Wi-Fi 6E-Chip-Sonde-Tests.

II. Herstellung von Display-Panels

1. OLED-Ausdampfung

   • Reinräume mit Vakuum-Lastlock:
     Moduläre Kammern mit magnetischen Levitations-Transferrobotern (Umgebung der Klasse 100 für die Ablagerung organischer Schichten).

   • Sauerstofffreie Handschuhkästen:
     < 0,1 ppm O2 für die Kathodensputterung zur Verhinderung der Lumineszenzlöschung.

2. MikroLED-Massentransfer

   • ISO-Klasse 2 Auswahl- und Platzierungszonen:
     ULPA-gefilterter Laminarfluss + 10nm-Genauigkeitsvibrationssteuerung für die Verklebung.

   • Anti-statische Durchläufe:
     Leitfächer beseitigen den Ladenaufbau beim Umgang mit 50 μm LED-Chips.

III. Präzisionselektronik

1. PCB-Herstellung

   • Reinräume zur Staubbekämpfung (ISO-Klasse 6):
     FFUs entfernen Bohrreste (≥ 0,3 μm) zur Vermeidung von Kurzschlüssen in HDI-Boards.

   • Feuchtigkeitsstabile Laminationszonen:
     Bei der Anpassung von Mehrschicht-PCBs (Toleranz von ± 25 μm) wird eine RH von 45 ± 5% beibehalten.

2. Herstellung von Sensoren

   • Reinräume ohne Nanopartikel:
     ULPA-Filtration (ISO-Klasse 3) für das MEMS-Gyroskop-Etschen (Strukturlücken < 2μm).

   • Temperatur-Feuchtigkeit-Kalibrierungskammern:
     Modulare Reinräume mit ± 0,1 °C Stabilität für IoT-Sensortests.

IV. Hauptvorteile

• Ausbeuteoptimierung: Verringern Sie die Defektdichte auf < 0,01/cm2 bei 5 nm Knotenproduktion.

• Energieeffizienz: 40% geringere Betriebskosten durch intelligentes FFU-Luftstrommanagement.

• Einhaltung der Vorschriften: Erfüllt die Normen SEMI F21, ISO 14644-1 Klasse 3 und JEDEC EIA-625.

• KI-gesteuerte vorausschauende Wartung: Echtzeitpartikelüberwachung mit Anomalie-Erkennung durch maschinelles Lernen.